中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队在国家自然科学基金重大项目“锑化物低维结构中红外激光器基础理论与关键技术”(批准号:61790580)等项目资助下，取得的“锑化物半导体红外激光器”技术成果获得广泛应用。

锑化物半导体红外激光器在光电装备、工业制造、医学仪器、环境工程等重大科技领域具有重要科学意义和广泛应用价值。锑化物材料属于多元素化合物体系，相比于其他材料，锑化物激光器核心的量子阱能带结构最为复杂，器件台面、腔面表面氧化性质悬殊，高端成品和关键制备技术长期被欧美各国垄断。

牛智川研究员团队在国家自然科学基金等项目的持续资助下，历经十多年不懈努力，渐次攻克科学难题、逐步掌握各环节关键技术，最终取得系列突破。获得发明专利授权10项，发表SCI论文34篇，实现了成果转化和应用，大幅度提升了相关产品的市场占有率。其技术和产品在国内多个单位实行了产业化推广，累计新增销售额3.73亿元、新增利润4750万元，吸引社会资本投入超过1.5亿元。