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近日，中国电科2所激光剥离项目取得突破性进展，基于工艺与装备的协同研发，实现了4英寸、6英寸碳化硅单晶片的激光剥离。
2所激光剥离设备有机结合激光精密加工和晶体可控剥离，实现半导体晶体高可靠切片工艺，可将晶体切割损耗降低60%以上，加工时间减少50%以上，并实现晶体加工整线的高度自动化。 |
时间:2022-08-17 10:25来源:中国电科作者:xuji 点击:次摘要：近日，中国电科2所激光剥离项目取得突破性进展，基于工艺与装备的协同研发，实现了4英寸、6英寸碳化硅单晶片的激光剥离。 2所激光剥离设备有机结合激光精密加工和晶体可控剥离，实现半导体晶体高可靠切片工艺，可将晶体切割损耗降低60%以上，加工时间减少50%以上，并实现晶体加工整线的高度自动化。 下一步，2所激光剥离项目将以大尺寸化、快速生产化、高良率化、全
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近日，中国电科2所激光剥离项目取得突破性进展，基于工艺与装备的协同研发，实现了4英寸、6英寸碳化硅单晶片的激光剥离。
2所激光剥离设备有机结合激光精密加工和晶体可控剥离，实现半导体晶体高可靠切片工艺，可将晶体切割损耗降低60%以上，加工时间减少50%以上，并实现晶体加工整线的高度自动化。 |
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