905 nm 边缘发射半导体激光器专为工业应用中的激光雷达而设计,采用三结设计,以纳秒脉冲发射高达 100 W 的光功率。它们符合工业应用的 JEDEC JESD22-A10x 标准,采用坚固、密封的 TO-56 封装。
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摘要:边缘发射半导体激光器采用三结设计,905 nm 边缘发射半导体激光器以纳秒脉冲发射高达 100 W 的光功率
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905 nm 边缘发射半导体激光器专为工业应用中的激光雷达而设计,采用三结设计,以纳秒脉冲发射高达 100 W 的光功率。它们符合工业应用的 JEDEC JESD22-A10x 标准,采用坚固、密封的 TO-56 封装。
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