光刻机，其实就是一种切割工艺。硅芯片由片刻进行由切割产生单晶硅，然后经过高温c-f加工可以切割成硅片。硅片按照电子器件类型有cmos集成电路，hmsoc等等，都需要进行光刻处理，以达到实际应用的性能。光刻机要区分光刻工艺有两大类，激光光刻和化学光刻两大类。

激光光刻(如intelswrl,intelswrl:cobrushoxidelens)又称为热点光刻，是指用激光光热离子束进行光刻的工艺。主要目的是获得微缩版的半导体制造物，或是下层实体晶体管的图案。根据光路，光刻中的激光首先经过几十或几百摄氏度的高温。然后经过cmp全铝化学气相沉积技术。还需要用到化学气相沉积的液体，一般都是有机溶剂，如cl2，h2，o2等。这是一个高温高压的过程，能让多少离子包围在晶体管的图案上，就能看到多少离子。

除此之外，用到化学气相沉积的液体一般都是高熔点的材料，如醇、醚、醛、醛酮等等。除了需要用到激光光热离子还需要一种特殊的氧化剂来去除杂质杂质，比如全铝化学气相沉积技术可能在最终版本的硅的光刻中会看到一种用于氧化的高氧化性杂质，叫作有机添加剂或者硝酸盐。而化学光刻主要就是直接用硅刀切割，所以产品的性能和光刻机是没有太大关系的，而光刻机的应用的制造光刻机。