二维过渡金属二硫属化物（2D TMD），特别是MoS 2，处于新一代二维材料的前沿，工业级的努力正在努力大规模生产它们，并为电子设备应用提供合理的性能。通常，对于显示器应用，2cm 2 /Vs的载流子迁移率就足够了。

　　尽管机械剥离的 MoS 2众所周知具有比这高得多的迁移率，但其大面积生产具有挑战性。此外，尚不清楚如果 2D TMD 器件与新一代2D 金属而不是标准 3D 金属（如 Au、Ti、Ni 等） 接触，其性能会如何。

　　因此，荷兰埃因霍温理工大学（周二）和印度SRM科学技术研究所（SRMIST）的研究人员最近在《Nanoscale Advances》上报道了在二维半导体MoS上大面积生长二维金属TiS x 2采用等离子体增强原子层生长（PEALD）技术。

　　优化生长条件以获得此类材料之间原子级清洁的界面非常具有挑战性。研究人员发现，当与 2D 金属 TiS x接触时，MoS 2的晶体管性能几乎是Ti 和 Au 3D 金属的两倍。在大多数晶体管的品质因数中都观察到了这种趋势。该程序将来可用于许多此类材料。

　　不同温度下的电荷传输研究揭示了元半导体结势垒高度的变化及其对接触电阻的影响。为了了解这个新系统，研究人员进行了 TCAD 设备模拟，以可视化原子层中电荷载流子的分布。值得注意的是，在TiS x的存在下，MoS 2的本征载流子密度增加，这导致性能改善。

　　这些结果将使 2D 和 3D 器件集成中的金属接触变薄，从而提高器件密度。这项示范性研究将在未来的量子器件和识别二维金属-半导体界面上的新电荷传输方程方面发挥重要作用。