中国工程物理研究院应用电子学研究所主要从事国防尖端高技术研究。从20世纪60年代发展核技术应用电子学，到20世纪80年代末承担国家863计划强激光和高功率微波两项重大主题研究任务，在激光、微波、辐射成像等领域取得了一系列重大研究成果，为国家安全和国民经济建设做出了重大贡献。建所以来，应用电子学研究所研制出我国第一台脉冲功率加速器——闪光一号、曙光一号自由电子激光器、高亮度微波电子枪、L波段30MeV电子直线加速器、高亮度超导光阴极注入器、高能固体激光装置和高功率微波装置等多个大型研究平台。特别是2003年研制的新型9MeV小焦斑电子直线加速器性能指标达到国际先进水平，并获国家专利；2004年研制出我国首台基于平板探测器的高能工业集成检测装置；2005年研制成功的我国第一台基于自由电子激光原理的太赫兹光源，被评为2005年中国基础研究十大新闻之一。

    应用电子学研究所科技实力雄厚，人才济济，拥有多个国家级重点实验室。先后获得国际发明金奖1项、国家发明奖2项、全国科技大会奖7项、国家级科技进步奖13项、部（委）及军队级科技进步奖315项、四川省和绵阳市科技进步一等奖2项，已申请国家发明及国防专利52项。目前建有国家863计划强辐射重点实验室、国家863计划光束控制实验室、国家X射线数字化成像大型仪器中心、高功率微波技术国防科技重点实验室、国家核技术应用工程中心加速器技术研发部、高能工业CT产业化示范基地、国家863计划太赫兹技术研究中心等多个国家级重点实验室。

    应用电子学研究所高度重视通过国际交流与合作培养年轻科技人员，每年均派出一定数量科技人员出国参加会议、访问或进修，并与俄罗斯、美国、德国、日本等国的多所著名高校和研究机构建立了长期的合作关系。

    应用电子学研究所现设有核科学与技术博士后流动站，光学工程、核技术及应用、无线电物理等专业博士研究生培养点，物理电子学、无线电物理、核技术及应用、光学工程等专业硕士研究生培养点。办有《强辐射技术及应用》、《高技术动态快报》、《激光研究与发展》等科技期刊。

    应用电子学研究所正以建设国际一流高技术研制基地为目标，向着更高水平的军民融合创新型研究所的方向努力前行。事业的持续发展需要高素质的人力资源作保障，应用电子学研究所真诚欢迎有志于献身高技术事业的莘莘学子来所工作，施展自己的抱负与才华；欢迎有志于高技术研究的同行参与应用电子学研究所工作，开展合作交流，共同为我国高技术事业的发展建功立业。