9月9日，长光华芯发布了最新的财务数据。今年上半年，长光华芯实现营业收入1.91亿元，同比增长202.59％；归属于母公司股东的净利润5219万元，同比实现了扭亏为盈（去年同期净亏损573万元）。

长光华芯表示：受益于半导体激光芯片整体市场规模扩大、公司业务开拓进展良好等因素，公司收入规模增长较快；同时，公司主要客户创鑫激光、锐科激光今年上半年采购了较多高毛利率的芯片类产品，主要客户A2根据其项目进度对公司高毛利率的巴条器件产品进行验收，这使得公司2021年上半年毛利率较2020年度提高较多。

长光华芯简介：激光芯片良率不断提高

长光华芯成立于2012年，依托中国科学院长春光机所创办，成立以来始终专注于半导体激光芯片、器件及模块等激光行业核心元器件的研发、制造及销售，主要产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化及进口替代。

近年来，长光华芯紧跟下游市场发展趋势，不断创新生产工艺，布局产品线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，为半导体激光行业的垂直产业链公司。公司产品可广泛应用于：光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、激光智能制造装备、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达、3D 传感、人工智能、高速光通信等领域，逐步实现了半导体激光芯片的国产化及进口替代。

经过多年的研发和产业化积累，针对半导体激光行业核心的芯片环节，长光华芯已建成覆盖芯片设计、外延、光刻、解理／镀膜、封装测试、光纤耦合等 IDM 全流程工艺平台和3吋、6吋量产线，目前3吋量产线为半导体激光行业内的主流产线规格，而6吋量产线为该行业内最大尺寸的产线，相当于是硅基半导体的12吋量产线，应用于多款半导体激光芯片开发。

凭借一系列关键技术的突破，长光华芯成为少数研发和量产高功率半导体激光芯片的公司之一。同时，依托公司半导体激光芯片的技术优势，公司业务向下游延伸，开发器件、模块及终端直接半导体激光器，上下游协同发展，公司在半导体激光行业的综合实力逐步提升。

随着生产技术不断提高及生产工艺不断改进，近年来长光华芯激光芯片生产的良率不断提高，复合增长率达到33．40％，良率是提高芯片产量、降低生产成本的重要因素。

研发占比超行业水平 30W激光芯片已实现量产

长光华芯取得这样的成绩与其持续进行高额研发投入密不可分：2018－2020年，长光华芯研发投入费用分别为3718.98万元、5270.65万元、5724.62万元，分别占当年营业收入的40.23％、38.05％、23.16％，远高于同行业可比企业平均水平。

长光华芯表示，公司研发费用占营业收入的比例高于同行业可比公司，一方面是公司围绕半导体激光芯片、器件及模块等产品持续加大研发投入力度；另一方面是截至目前公司仍处于快速发展期，业绩规模较小，仍处于以研发为导向的快速成长阶段，研发投入相对较大。未来，公司将持续加大对研发费用的投入，为公司的技术创新、人才培养等创新机制奠定物质基础。

在高额研发投入的支撑下，长光华芯基于核心技术研发生产的半导体激光芯片系列产品已在工业激光器、国家战略高技术、科学研究、医学美容、激光雷达及3D传感等领域得到了产业化应用。公司成立以来的产品研发和产业化的主要进展情况如下：

值得一提的是，2021年，在诸多应用技术的支撑下，长光华芯成功实现30W高功率半导体激光芯片的量产，波长范围覆盖 808－1064nm，电光转换效率达到60％－65％，技术水平与国际先进水平同步，提升了半导体激光芯片的产量及良率，实现了半导体激光芯片的产业化应用。

募资13.48亿元 投入多项重要研发项目

本次长光华芯拟募集资金13.48亿元，将投建于“高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目”、“垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通信激光芯片产业化项目”及“研发中心建设项目”以及补充流动资金。具体情况如下：

招股书表示，高功率激光芯片、器件、模块产能扩充项目主要是为了扩大高功率半导体激光芯片系列产品的生产，产能扩充能够提高公司经营规模，是对该公司现有业务的合理延伸和拓展。

垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）及光通信激光芯片产业化项目主要通过对生产基地的建设及配套设备的购置，研发并生产垂直腔面发射半导体激光芯片及光通信激光芯片系列产品，扩大公司在消费电子、激光雷达及光通信领域的激光芯片输出。

研发中心建设项目主要为了进一步加强技术研发能力、完善技术研发体系、提高高功率半导体激光芯片相关技术的储备量，从而持续强化公司的创新研发能力和核心竞争力。