根据发表在ACS Applied Electronic Materials上的一项研究，来自中国科学院合肥物质科学研究院的合作研究小组开发了一种基于 ob NdGaO 3 (NGO) 单晶的有源太赫兹相位调制器，该调制器适合用于太赫兹相位调制器。

　　寻找合适的材料来塑造太赫兹波不仅是非常可取的，也是限制太赫兹技术应用的挑战。

　　在这项研究中，科学家们发现非政府组织晶体表现出明显的太赫兹相移。当NGO单晶的温度从100增加到400 K时，太赫兹相移将达到～94°。

　　此外，NGO 晶体的太赫兹相移对晶体取向敏感。每个晶体取向的相移呈线性比例关系。

　　使用光学控制，研究人员实现了太赫兹相位的主动调制：激光照明可以有效地引起明显的太赫兹偏移。在20 J/cm 2的光通量下，可以实现～78°的太赫兹偏移，并且具有良好的操作稳定性。通过改变光通量，可以实现多态太赫兹相移。

　　研究人员表示，NGO 晶体的灵敏度和稳定性有望产生重大技术影响，并为太赫兹光学应用提供前景。