香港城市大学的研究团队最近成功实现了无晶格错配的III-V/硫族化物核壳异质结构纳米线的构建，用于电子和光电应用。这一突破解决了与高质量异质结构半导体生长中的晶格失配问题相关的关键技术挑战，从而增强了载流子输运和光电性能。

几十年来，生产高质量异质结构半导体的挑战一直存在，主要受到界面晶格失配问题的阻碍。这种局限性限制了这些材料在高性能电子和光电应用方面的潜力。

为了克服这一障碍，研究团队最初引入了一种开创性的方法，用于无晶格失配合成III-V/硫族化物核壳异质结构纳米线，专为器件应用而设计。

他们的研究题为“III-V/硫族化物核壳异质结构纳米线的无晶格错配结构”，已发表在《自然通讯》上。

“在纳米尺度上，表面特性在控制低维材料的材料性能方面起着关键作用。硫族元素原子的表面活性剂特性对核壳异质结电子学的前景有很大贡献，以应对不断变化的技术需求，“领导这项研究的城大协理副校长兼材料科学及工程学系教授何志强教授说。

何教授补充：“这项研究的进展标志着在有效利用III-V族异质结构半导体方面迈出了一大步，为高性能应用铺平了道路，特别是在物联网领域，否则使用替代方法可能无法实现”。

与第三代探测器SWaP保持一致3何教授强调，最新一代的光电器件正朝着小型化、灵活性和智能化的方向发展。“核壳异质结构纳米线的无晶格错配结构为下一代超灵敏SWaP带来了巨大的希望3光电子学，“他说。

这项开创性的研究包括创新的材料设计、新工艺开发和新的光电应用探索。最初的重点是研究由硫族化物共价键网络组成的非晶壳层，该壳层被战略性地用于解决围绕III-V族核心的晶格失配问题。

在核壳异质结构中成功实现有效的无晶格失配结构引入了非常规的光电特性。值得注意的是，这些特性包括双向光响应、可见光辅助红外光探测和增强红外光探测。